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ZXT13N20DE6TA PDF資料
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- 制造商：ZETEX[Zetex Semiconductors]
- PDF文件大小：432.62 Kbytes
- PDF文件頁數：共6頁
- 描述：20V NPN SILICON LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTOR
ZXT13N20DE6TA技術規格
- 制造商:Diodes Incorporated
- 產品種類:雙極晶體管 - 雙極結型晶體管(BJT)
- RoHS:是
- 安裝風格:SMD/SMT
- 封裝 / 箱體:SOT-23-6
- 晶體管極性:NPN
- 配置:Single
- 集電極—發射極最大電壓 VCEO:20 V
- 集電極—基極電壓 VCBO:50 V
- 發射極 - 基極電壓 VEBO:7.5 V
- 集電極—射極飽和電壓:170 mV
- 最大直流電集電極電流:4.5 A
- 增益帶寬產品fT:96 MHz
- 最小工作溫度:- 55 C
- 最大工作溫度:+ 150 C
- 系列:ZXT13N
- 直流電流增益 hFE 最大值:250 at 10 mA, 2 V
- 高度:1.3 mm
- 長度:3.1 mm
- 封裝:Cut Tape
- 封裝:MouseReel
- 封裝:Reel
- 寬度:1.8 mm
- 商標:Diodes Incorporated
- 集電極連續電流:4.5 A
- 直流集電極/Base Gain hfe Min:250 at 10 mA, 2 V, 300 at 1 A, 2 V, 200 at 5 A, 2 V, 15 at 15 A, 2 V
- Pd-功率耗散:1.1 W
- 產品類型:BJTs - Bipolar Transistors
- 工廠包裝數量:3000
- 子類別:Transistors
- 單位重量:6.500 mg
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