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N01L83W2AN5I規格信息：
存儲器類型：易失
存儲器格式：SRAM
技術：SRAM - 異步
存儲容量：1Mb （128K x 8）
寫周期時間 - 字，頁：55ns
訪問時間：55ns
存儲器接口：并聯
電壓 - 電源：2.3 V ~ 3.6 V
工作溫度：-40°C ~ 85°C（TA）
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：32-LFSOP（0.465"，11.80mm 寬）
供應商器件封裝：32-sTSOP I
無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs
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| N01L83W2AN5I | 1Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 128K ?? 8 bit | ONSEMI[ON Semiconductor] | ![ONSEMI[ON Semiconductor]的LOGO-天天IC網](/PdfSupLogo/112ONSEMI.GIF) | 527.78 Kbytes | 共10頁 |  | 無 |
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| N01L83W2AN5IT | 1Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 128K ?? 8 bit | ONSEMI[ON Semiconductor] | | 527.78 Kbytes | 共10頁 | | 無 |
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